案情简介：如何认定涉案专利是否构成实质性近似
A公司钜泉光电科技(上海)股份有限公司(以下简称A公司)称：A公司完成了名称为“ATT7021AU”的集成电路布图设计，并获得布图设计登记证书。A公司发现在未经其许可情况下，B公司复制其受保护的前述布图设计，并与B公司雅创公司为商业目的销售含有该布图设计的集成电路即RN8209G芯片和RN8209芯片。A公司认为，两B公司的行为侵犯其集成电路布图设计专有权，遂诉至法院，请求判令B公司：(1)立即停止侵犯集成电路布图设计专有权的行为；(2)立即销毁侵权产品及涉及A公司集成电路布图设计产品的宣传资料；(3)在《环球表计》或《国际电子商情》的显著位置公开向A公司赔礼道歉，并保证今后不再侵犯A公司的集成电路布图设计专有权；(4)赔偿A公司经济损失人民币(以下币种相同)1500万元，包括A公司为制止侵权行为的合理开支。
法院判决：构成侵权
法院经审理查明：2008年3月1日，A公司完成了名称为“ATT7021AU”的布图设计创作，同年进行布图设计登记。该集成电路布图设计登记的图样共有16层，登记文件中的“ATT7021AU集成电路布图设计结构、技术、功能简要说明”记载：(1)达成业界相同芯片(单相电能计量)功能/性能最优化面积的版图设计诉求；(2)数模混合高抗干扰/高静电保护芯片版图设计；(3)采用电路设计技术和金属层、扩散层、信号流合理布局等版图技术实现灵敏信号噪声屏蔽，大小信号干扰隔离。判决：一、B公司立即停止侵害A公司享有的ATT7021AU(登记号为BS.08500145.7)集成电路布图设计专有权；二、B公司于判决生效之日起十日内赔偿A公司经济损失以及为制止侵权行为所支付的合理开支共计人民币320万元；三、驳回A公司的其余诉讼请求。
律师说法：如何认定是否构成实质性近似
由于集成电路布图设计的创新空间有限，在布图设计侵权判定中对于两个布图设计构成相同或者实质性相似的认定采用较为严格的标准，然而锐能微公司涉案RN8209、RN8209G芯片的相应布图设计仍与A公司ATT7021AU集成电路布图设计中的“数字地轨与模拟地轨衔接的布图”和“独立升压器电路布图”构成实质性相似。(1)关于“数字地轨与模拟地轨衔接的布图”。A公司主张保护的“数字地轨与模拟地轨衔接的布图”，主要由“数字地轨和模拟地轨衔接处位于芯片东侧居中附近”“衔接处(即四个二极管)呈田字形布局”“两条地轨南北走向、经过两个45度后转向往东，分别横经田字形上下两口方眼布图的位置的中间”“两条地轨不相碰触、不相连接”等特征组成。锐能微公司RN8209、RN8209G芯片的对应布图设计的特征是：数字地轨和模拟地轨的衔接处位于芯片东侧居中附近；衔接处有四个二极管呈田字形排布；一条地轨由北向南经过两个45度后转向东直走，横向穿过田字形排布的上面两个二极管；另一条地轨由南向北经过两个45度后转向东直走，横向穿过田字形排布的下面两个二极管；两条地轨互相平行不接触。由此可见，涉案RN8209、RN8209G芯片的“数字地轨与模拟地轨衔接的布图”的上述特征与A公司“数字地轨与模拟地轨衔接的布图”的主要特征一一对应相同。由此可见，涉案RN8209、RN8209G芯片的“独立升压器电路布图”的上述特征与A公司“独立升压器电路布图”的主要特征一一对应相同。至于锐能微公司主张的M1、M2、M3层以及PL层的MOS管尺寸等不同均属于细微的或次要的差异，而ST层的不同是双方使用不同工艺造成的，故锐能微公司所主张的上述不同点均不足以影响涉案RN8209、RN8209G芯片的对应布图设计与A公司“独立升压器电路布图”相同或者实质性相似的判断。
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